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PCB图形转移线干膜宽损耗的研究

日期:2014/08/10 20:09 发布人:网络编辑 点击:
     随着密集线路PCB的高速发展,75um/75um,100um/100um线宽/线间的设计已是主流产品,如手机板、高档游戏板等,在制作这些密集线路PCB过程中,线宽/线间控制极为重要。根据IPC标准,常规线宽/线间按±20%的公差控制,阻抗线路线宽/间按±10%的公差控制。细小的线宽/线间补偿、干膜线宽损耗、蚀刻侧蚀等,本文将对PCB制作干膜线宽损耗进行浅析,通过正交实验法分析干膜线宽损耗的影响因素及控制参数。 实验表明,干膜线宽损耗大小,对蚀刻过程中线宽/间的控制产生重要的影响,在现有的菲林线宽/间补偿条件下,干膜线宽损耗越小,形成导线蚀刻侧蚀线宽补偿量就越大,出现蚀刻不净或线幼问题的风险就越小。通过实验,线宽损耗最小因素组合(平行曝光机/曝光能量7格/显影点50%)。我司在生产密集线路75um/75um,87.5um/87.5um,100um/100um线宽/间设计的产品时,严格依据以上实验结果执行,确保了PCB线宽/间制作高品质。

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